Halbleiterphysik

Forschungsgebiete

MBE Wachstum von Gruppe III-Nitriden
(Prof. Dr. A.Rizzi);
Molekularstrahl-Epitaxie (MBE);
Untersuchung elektonischer und magnetischer Eigenschaften
von GaN basierten Halbleiterschichten;
Wachstum und laterale Strukturierung von Gruppe III-Nitriden;
Untersuchung von Quantenphänomenen auf mesoskopischer Skala;
Wachstum und Charakterisierung verdünnter magnetischer Halbleiter;
Herstellung hybrider Nanostrukturen zum Ladungs- und Spintransport;


Spezielle Meßmethoden:
Reflexions- und Transmissions-Spektroskopie (T=3D1.2 .. 300K);
Raman- und Emissionsspektroskopie (T=3D1.2 ... 300K);
Pico- und Femto-Sekunden-Spektroskopie;
Rastersondenmikroskopie;
Konventionelle- und Hochauflösende Elektronenmikroskopie (TEM, HREM);
Analyse der chemischen Zusammensetzung (EDX);
Kapazitätstransientenspektroskopie (DLTS);
MBE Wachstum von Gruppe III-N Heterostrukturen;
Temperaturabhängiger Hall-Effect (2K-325K, 1T)

Ausstattung

Labor für Hochauflösende Elektronenmikroskopie (Philips CM 200 FEG/UT)
3-Kammer UHV System für Wachstum und in-situ Spectroskopie (MBE, HREELS, AES, LEED, XPS, UPS)

Schlagworte

Werkstofftechnik, Nanowerkstoffe

Übersetzung nicht verfügbar

Kontakt

Ansprechpartner/-in

Herr Prof. Dr. R. G. Ulbrich
Funktion:
Geschäftsführender Direktor
Telefon:
0551/39 45 41
Frau Prof. Dr. A. Rizzi
Telefon:
0551/39-4545
Herr Prof. Dr. Michael Seibt
Funktion:
Hochauflösende Elektronenmikroskopie
Telefon:
0551 39 4553
Telefax:
0551 39 4560

Forschungseinrichtung

Georg-August-Universität Göttingen
Fakultät für Physik
IV. Physikalisches Institut
Halbleiterphysik
Hausanschrift:
Friedrich-Hund-Platz 1
37077 Göttingen
Telefon:
0551/39-4542
Telefax:
055/39-4560
Stand: 08.01.2009